1.1 局部放電現(xiàn)象的研究

1.1.3 缺陷導致的絕緣老化

缺陷引起的絕緣老化可能有一個跡象，就是在高壓絕緣中存在局部放電活動。進一步的老化可能由放電產(chǎn)物的成分與缺陷周圍絕緣材料的相互作用而引起。局放現(xiàn)象可能是*的（由設(shè)計或加工過程引起），或者可能隨設(shè)備的運行而發(fā)展（例如由高溫、電和機械的過應力引起）。

局放的危害程度由局放產(chǎn)物的高能/高溫能力決定，絕緣材料受局部放電活動的影響產(chǎn)生*性變化，而且介電強度降低。危害程度水平與材料有很大關(guān)系。

局部放電時，電子的能量或溫度（不要誤認為是氣體分子周圍或等離子區(qū)的溫度）可能達到10-20eV（電離能量）。與化學鍵的類型有關(guān)，能量超過5eV時聚合物的化學鍵可被破壞，高能電子與固體絕緣材料相互作用可能引起固體/液體周圍大分子化學鍵的破壞。這種變化可能是由于受放電影響，固體絕緣材料壁簡單剝落或者腐蝕，也可能是固體絕緣的化學結(jié)構(gòu)和性質(zhì)發(fā)生了變化（例如碳化）。因為這些影響是*性的，而且放電點是封閉的，所以這種損害的整體效應zui后可能導致絕緣的毀滅性故障。

絕緣老化過程中局部放電的整體效應有時可能是局放量和重復率增大，也可能是有關(guān)放電參數(shù)例如相位產(chǎn)生實質(zhì)性變化。如果具有一些可用的關(guān)于類似結(jié)構(gòu)和材料中放電影響的恰當知識，放電的這些性質(zhì)變化就可用來建立評定絕緣狀態(tài)的方法。

局放是非常有害的，局放中的高電子能和來自裂解分子的侵襲性化學副產(chǎn)物，都可能引起絕緣*性損壞。在固體中出現(xiàn)局部腐蝕和通道成長（即可能產(chǎn)生電樹枝）。在浸漬絕緣系統(tǒng)中形成酸和溶解氣體，固體可能隨時間消耗殆盡。然而，一些氣體絕緣系統(tǒng)中，值得注意的是空氣，電離和局放（電暈）相結(jié)合，在一般情況下沒有任何長期性影響，因為氣體隨時間而進行交換，空氣絕緣可認為是自恢復的。在SF6情況下，情況不是如此簡單，SF6氣體可能有*性質(zhì)變，特別是有水分等雜質(zhì)存在時更是如此，這時可形成氟酸。如果放電發(fā)生在絕緣子界面，也可發(fā)生*性危害。